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IPD26DP06NMSAUMA1

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零件编号 :: IPD26DP06NMSAUMA1

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET P-CH 60V TO252-3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 616461 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Feb 27 - Mar 03 2025

类型	描述
系列:	OptiMOS™
包裹:	Tape & Reel (TR)
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	-
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	-
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (最大值) @ id:	-
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (最大值):	-
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	-
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	-
工作温度:	-
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	PG-TO252-3-313
包/箱:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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