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SIA413ADJ-T1-GE3

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MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

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零件编号 :

SIA413ADJ-T1-GE3

制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
13000 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Mar 02 - Mar 06 2025
PDF格式
SIA413ADJ-T1-GE3 PDF
类型 描述
系列:TrenchFET®
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:P-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):12 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:12A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:29mOhm @ 6.7A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:1V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:57 nC @ 8 V
vgs (最大值):±8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1800 pF @ 10 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:19W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:PowerPAK® SC-70-6 Single
包/箱:PowerPAK® SC-70-6
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