SQJ858EP-T1_GE3

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零件编号 :: SQJ858EP-T1_GE3

制造商: Vishay / Siliconix

描述: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 095409 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Feb 27 - Mar 03 2025

PDF格式: SQJ858EP-T1_GE3 PDF

类型	描述
系列:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包裹:	Tape & Reel (TR)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	40 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	75A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	6mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	60 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	2500 pF @ 20 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	68W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	PowerPAK® SO-8
包/箱:	PowerPAK® SO-8

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