IMZ120R350M1HXKSA1

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零件编号 :: IMZ120R350M1HXKSA1

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 365636 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Mar 02 - Mar 06 2025

类型	描述
系列:	CoolSiC™
包裹:	Tube
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 (vdss):	1.2 kV
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	4.7A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	15V, 18V
rds on (max) @ id, vgs:	350mOhm @ 2A, 18V
vgs(th) (最大值) @ id:	5.7V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	5.3 nC @ 18 V
vgs (最大值):	+23V, -7V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	182 pF @ 800 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	60W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	PG-TO247-4-1
包/箱:	TO-247-4

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