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MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7

SQM200N04-1M1L_GE3

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零件编号 :

SQM200N04-1M1L_GE3

制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
10427 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 15 - Nov 19 2024
PDF格式
SQM200N04-1M1L_GE3 PDF
类型 描述
系列:TrenchFET®
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):40 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:200A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.1mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:413 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:20655 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:375W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:TO-263-7
包/箱:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
SQM200N04-1M1L_GE3 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 SQM200N04-1M1L_GE3 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为SQM200N04-1M1L_GE3 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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