2N7639-GA

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零件编号 :: 2N7639-GA

制造商: GeneSiC Semiconductor

描述: TRANS SJT 650V 15A TO257

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 708070 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 03 - Nov 07 2024

PDF格式: 2N7639-GA PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	-
技术:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏源电压 (vdss):	650 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	15A (Tc) (155°C)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	-
rds on (max) @ id, vgs:	105mOhm @ 15A
vgs(th) (最大值) @ id:	-
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (最大值):	-
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1534 pF @ 35 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	172W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 225°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	TO-257
包/箱:	TO-257-3

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