APTM120DA56T1G

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零件编号 :: APTM120DA56T1G

制造商: Microsemi

描述: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 038303 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 07 - Nov 11 2024

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	1200 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	18A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	672mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	5V @ 2.5mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	300 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	7736 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	390W (Tc)
工作温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Chassis Mount
供应商设备包:	SP1
包/箱:	SP1

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