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NXH35C120L2C2S1G

NXH35C120L2C2S1G

IGBT MOD 1200V 35A 26DIP

NXH35C120L2C2S1G

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零件编号 :

NXH35C120L2C2S1G

制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
目录
晶体管 - igbts - 模块
可用性
296629 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 16 - Nov 20 2024
类型 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Active
igbt型:-
配置:Three Phase Inverter with Brake
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (ic) (max):35 A
功率 - 最大值:20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 35A
电流 - 集电极截止(最大值):250 µA
输入电容 (cies) @ vce:8.33 nF @ 20 V
输入:Three Phase Bridge Rectifier
ntc热敏电阻:Yes
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
供应商设备包:26-DIP
NXH35C120L2C2S1G 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 NXH35C120L2C2S1G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为NXH35C120L2C2S1G 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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