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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

CL31B225KBH4PNE

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CAP CER 2.2UF 50V X7R 1206

DSC1122CI2-150.5000T

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MEMS OSC XO 150.5000MHZ LVPECL

FZ800R33KF2CS1NDSA1

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零件编号 :

FZ800R33KF2CS1NDSA1

制造商
Rochester Electronics
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
目录
晶体管 - igbts - 模块
可用性
736873 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 01 - Dec 05 2024
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
igbt型:-
配置:Half Bridge
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):3.3 V
电流 - 集电极 (ic) (max):1 A
功率 - 最大值:9.6 W
vce(on) (max) @ vge, ic:4.25V @ 15V, 800A
电流 - 集电极截止(最大值):5 mA
输入电容 (cies) @ vce:100 nF @ 25 V
输入:Standard
ntc热敏电阻:No
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:Chassis Mount
包/箱:Module
供应商设备包:-
FZ800R33KF2CS1NDSA1 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 FZ800R33KF2CS1NDSA1 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为FZ800R33KF2CS1NDSA1 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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