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FF200R12KE3B2HOSA1

FF200R12KE3B2HOSA1

IGBT MOD 1200V 295A 1050W

FF200R12KE3B2HOSA1

FF200R12KE3B2HOSA1

图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

FF200R12KE3B2HOSA1

制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
IGBT MOD 1200V 295A 1050W
目录
晶体管 - igbts - 模块
可用性
996899 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 28 - Dec 02 2024
类型 描述
系列:-
包裹:Tray
零件状态:Active
igbt型:-
配置:Half Bridge
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (ic) (max):295 A
功率 - 最大值:1050 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.15V @ 15V, 200A
电流 - 集电极截止(最大值):5 mA
输入电容 (cies) @ vce:14 nF @ 25 V
输入:Standard
ntc热敏电阻:No
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:Chassis Mount
包/箱:Module
供应商设备包:Module
FF200R12KE3B2HOSA1 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 FF200R12KE3B2HOSA1 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为FF200R12KE3B2HOSA1 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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