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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | BIMOSFET™ |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| igbt型: | - |
| 配置: | Single |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大值）: | 1700 V |
| 电流 - 集电极 (ic) (max): | 75 A |
| 功率 - 最大值: | 625 W |
| vce(on) (max) @ vge, ic: | 6V @ 15V, 42A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 50 µA |
| 输入电容 (cies) @ vce: | 7.4 nF @ 25 V |
| 输入: | Standard |
| ntc热敏电阻: | No |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Chassis Mount |
| 包/箱: | SOT-227-4, miniBLOC |
| 供应商设备包: | SOT-227B |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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MG12450WB-BN2MMWickmann / Littelfuse |
IGBT MODULE 1200V 600A 1950W WB |
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FF300R12KE3HOSA1IR (Infineon Technologies) |
IGBT MOD 1200V 440A 1450W |
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GSID150A120T2C1SemiQ |
IGBT MOD 1200V 285A 1087W |
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FMG1G75US60HRochester Electronics |
IGBT, 75A, 600V, N-CHANNEL |
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MG1250W-XBN2MMWickmann / Littelfuse |
IGBT MOD 1200V 75A 260W |
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DF900R12IP4DVBOSA1Rochester Electronics |
DF900R12IP4DV - 1200 V PRIMEPACK |
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GSID150A120S3B1SemiQ |
IGBT MODULE 1200V 300A 940W D3 |
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A2C25S12M3-FSTMicroelectronics |
IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK2 |
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FF1400R17IP4BOSA1IR (Infineon Technologies) |
IGBT MODULE 1700V 1400A |
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APTGT300DU60GRoving Networks / Microchip Technology |
IGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6 |
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FF1000R17IE4PBOSA1IR (Infineon Technologies) |
IGBT MODULE 1700V 1000A |
|
FS30R06VE3BOMA1IR (Infineon Technologies) |
IGBT MODULE 600V 34A 88W |
|
APT60GF120JRDRoving Networks / Microchip Technology |
IGBT NPT COMBI 1200V 60A ISOTOP |
