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N-CHANNEL IGBT

HGT1S3N60A4DS9A

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零件编号 :

HGT1S3N60A4DS9A

制造商
Rochester Electronics
描述
N-CHANNEL IGBT
目录
晶体管 - igbts - 单
可用性
14713 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 25 - Dec 29 2024
PDF格式
HGT1S3N60A4DS9A PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Obsolete
igbt型:-
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:600 V
电流 - 集电极 (ic) (max):17 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):40 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 3A
功率 - 最大值:70 W
开关能量:37µJ (on), 25µJ (off)
输入类型:Standard
栅极电荷:21 nC
td（开/关）@ 25°c:6ns/73ns
测试条件:390V, 3A, 50Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):29 ns
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备包:TO-263AB
HGT1S3N60A4DS9A 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 HGT1S3N60A4DS9A 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为HGT1S3N60A4DS9A 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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