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IGBT WITH RECOVERY DIODE

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零件编号 :

IRGP6630D-EPBF

制造商
Rochester Electronics
描述
IGBT WITH RECOVERY DIODE
目录
晶体管 - igbts - 单
可用性
10937 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 27 - Dec 01 2024
PDF格式
IRGP6630D-EPBF PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Obsolete
igbt型:-
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:600 V
电流 - 集电极 (ic) (max):47 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):54 A
vce(on) (max) @ vge, ic:1.95V @ 15V, 18A
功率 - 最大值:192 W
开关能量:75µJ (on), 350µJ (off)
输入类型:Standard
栅极电荷:30 nC
td（开/关）@ 25°c:40ns/95ns
测试条件:400V, 18A, 22Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):70 ns
工作温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:TO-247-3
供应商设备包:TO-247AD
IRGP6630D-EPBF 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 IRGP6630D-EPBF 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为IRGP6630D-EPBF 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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