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STGW60H65DFB

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零件编号 :: STGW60H65DFB

制造商: STMicroelectronics

描述: IGBT 650V 80A 375W TO-247

目录: 晶体管 - igbts - 单

可用性: 10840 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 17 - Nov 21 2024

PDF格式: STGW60H65DFB PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tube
零件状态:	Active
igbt型:	Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	650 V
电流 - 集电极 (ic) (max):	80 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):	240 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 60A
功率 - 最大值:	375 W
开关能量:	1.09mJ (on), 626µJ (off)
输入类型:	Standard
栅极电荷:	306 nC
td（开/关）@ 25°c:	51ns/160ns
测试条件:	400V, 60A, 5Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):	60 ns
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
包/箱:	TO-247-3
供应商设备包:	TO-247

STGW60H65DFB 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 STGW60H65DFB 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为STGW60H65DFB 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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