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APT45GP120B2DQ2G

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零件编号 :: APT45GP120B2DQ2G

制造商: Roving Networks / Microchip Technology

描述: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

目录: 晶体管 - igbts - 单

可用性: 744374 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Oct 29 - Nov 02 2025

PDF格式: APT45GP120B2DQ2G PDF

类型	描述
系列:	POWER MOS 7®
包裹:	Tube
零件状态:	Active
igbt型:	PT
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	1200 V
电流 - 集电极 (ic) (max):	113 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):	170 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	3.9V @ 15V, 45A
功率 - 最大值:	625 W
开关能量:	900µJ (on), 905µJ (off)
输入类型:	Standard
栅极电荷:	185 nC
td（开/关）@ 25°c:	18ns/100ns
测试条件:	600V, 45A, 5Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):	-
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
包/箱:	TO-247-3 Variant
供应商设备包:	-

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