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RGW80TS65DGC11

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零件编号 :: RGW80TS65DGC11

制造商: ROHM Semiconductor

描述: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

目录: 晶体管 - igbts - 单

可用性: 10450 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 06 - Nov 10 2025

PDF格式: RGW80TS65DGC11 PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tube
零件状态:	Active
igbt型:	Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	650 V
电流 - 集电极 (ic) (max):	78 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):	160 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.9V @ 15V, 40A
功率 - 最大值:	214 W
开关能量:	760µJ (on), 720µJ (off)
输入类型:	Standard
栅极电荷:	110 nC
td（开/关）@ 25°c:	44ns/143ns
测试条件:	400V, 40A, 10Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):	92 ns
工作温度:	-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
包/箱:	TO-247-3
供应商设备包:	TO-247N

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