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IKD04N60RAATMA1

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零件编号 :: IKD04N60RAATMA1

制造商: Rochester Electronics

描述: DISCRETE IGBT WITHOUT ANTI-PARAL

目录: 晶体管 - igbts - 单

可用性: 11681 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Dec 03 - Dec 07 2024

PDF格式: IKD04N60RAATMA1 PDF

类型	描述
系列:	TrenchStop™
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
igbt型:	Trench
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	600 V
电流 - 集电极 (ic) (max):	8 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):	12 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 4A
功率 - 最大值:	75 W
开关能量:	90µJ (on), 150µJ (off)
输入类型:	Standard
栅极电荷:	27 nC
td（开/关）@ 25°c:	14ns/146ns
测试条件:	400V, 4A, 43Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):	43 ns
工作温度:	-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包:	PG-TO252-3

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