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NGTB30N65IHL2WG

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

NGTB30N65IHL2WG

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图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

NGTB30N65IHL2WG

制造商
Rochester Electronics
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
目录
晶体管 - igbts - 单
可用性
11899 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 01 - Dec 05 2024
PDF格式
NGTB30N65IHL2WG PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
igbt型:Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (ic) (max):60 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.2V @ 15V, 30A
功率 - 最大值:300 W
开关能量:200µJ (off)
输入类型:Standard
栅极电荷:135 nC
td(开/关)@ 25°c:-/145ns
测试条件:400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):430 ns
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:TO-247-3
供应商设备包:TO-247-3
NGTB30N65IHL2WG 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 NGTB30N65IHL2WG 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为NGTB30N65IHL2WG 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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