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STGYA120M65DF2

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零件编号 :: STGYA120M65DF2

制造商: STMicroelectronics

描述: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

目录: 晶体管 - igbts - 单

可用性: 10587 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 15 - Nov 19 2024

PDF格式: STGYA120M65DF2 PDF

类型	描述
系列:	M
包裹:	Tube
零件状态:	Active
igbt型:	NPT, Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	650 V
电流 - 集电极 (ic) (max):	160 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):	360 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.95V @ 15V, 120A
功率 - 最大值:	625 W
开关能量:	1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
输入类型:	Standard
栅极电荷:	420 nC
td（开/关）@ 25°c:	66ns/185ns
测试条件:	400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):	202 ns
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
包/箱:	TO-247-3 Exposed Pad
供应商设备包:	MAX247™

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