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HGTP2N120CN

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零件编号 :: HGTP2N120CN

制造商: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

描述: IGBT 1200V 13A 104W TO220AB

目录: 晶体管 - igbts - 单

可用性: 748574 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 26 - Nov 30 2024

PDF格式: HGTP2N120CN PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tube
零件状态:	Obsolete
igbt型:	NPT
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	1200 V
电流 - 集电极 (ic) (max):	13 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):	20 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 2.6A
功率 - 最大值:	104 W
开关能量:	96µJ (on), 355µJ (off)
输入类型:	Standard
栅极电荷:	30 nC
td（开/关）@ 25°c:	25ns/205ns
测试条件:	960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):	-
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
包/箱:	TO-220-3
供应商设备包:	TO-220-3

HGTP2N120CN 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 HGTP2N120CN 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为HGTP2N120CN 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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