SIGC25T60UNX1SA2

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零件编号 :: SIGC25T60UNX1SA2

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: IGBT 3 CHIP 600V WAFER

目录: 晶体管 - igbts - 单

可用性: 129512 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 13 - Nov 17 2024

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
igbt型:	NPT
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	600 V
电流 - 集电极 (ic) (max):	30 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):	90 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	3.15V @ 15V, 30A
功率 - 最大值:	-
开关能量:	-
输入类型:	Standard
栅极电荷:	-
td（开/关）@ 25°c:	16ns/122ns
测试条件:	400V, 30A, 1.8Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):	-
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	Die
供应商设备包:	Die

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