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SIGC12T60NCX1SA4

SIGC12T60NCX1SA4

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

SIGC12T60NCX1SA4

SIGC12T60NCX1SA4

图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

SIGC12T60NCX1SA4

制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
目录
晶体管 - igbts - 单
可用性
949694 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 16 - Nov 20 2024
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
igbt型:NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):600 V
电流 - 集电极 (ic) (max):10 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):30 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.5V @ 15V, 10A
功率 - 最大值:-
开关能量:-
输入类型:Standard
栅极电荷:-
td(开/关)@ 25°c:21ns/110ns
测试条件:300V, 10A, 27Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:Die
供应商设备包:Die
SIGC12T60NCX1SA4 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 SIGC12T60NCX1SA4 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为SIGC12T60NCX1SA4 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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