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2SK879-Y(TE85L,F)

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零件编号 :: 2SK879-Y(TE85L,F)

制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述: JFET N-CH 0.1W USM

可用性: 10444 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 24 - Nov 28 2024

PDF格式: 2SK879-Y(TE85L,F) PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
电压 - 击穿 (v(br)gss):	-
漏源电压 (vdss):	-
电流 - 漏极 (idss) @ vds (vgs=0):	1.2 mA @ 10 V
电流消耗 (id) - 最大值:	-
电压 - 截止 (vgs off) @ id:	400 mV @ 100 nA
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	8.2pF @ 10V
电阻 - rds(on):	-
功率 - 最大值:	100 mW
工作温度:	125°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	SC-70, SOT-323
供应商设备包:	USM

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