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NUS5530MNR2G

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零件编号 :: NUS5530MNR2G

制造商: Rochester Electronics

描述: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

可用性: 105255 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Dec 28 - Jan 01 2024

PDF格式: NUS5530MNR2G PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
晶体管型:	NPN, P-Channel
应用:	General Purpose
额定电压:	35V PNP, 20V P-Channel
额定电流（安培）:	2A PNP, 3.9A P-Channel
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-VDFN Exposed Pad
供应商设备包:	8-DFN-EP (3.3x3.3)

NUS5530MNR2G 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 NUS5530MNR2G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为NUS5530MNR2G 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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