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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | NVSRAM |
| 技术: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 内存大小: | 16Mb (2M x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 70ns |
| 访问时间: | 70 ns |
| 电压 - 电源: | 4.75V ~ 5.25V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 包/箱: | 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) |
| 供应商设备包: | 36-EDIP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
W25Q128JWBIM TRWinbond Electronics Corporation |
IC FLSH 128MBIT SPI/QUAD 24TFBGA |
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MT58L512L18FT-10Rochester Electronics |
CACHE SRAM 512KX18 10NS PQFP100 |
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71V3556SA133BQRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
|
CY27H010-35WCRochester Electronics |
UVPROM, 128KX8, 35NS CDIP32 |
|
AT25XE041B-SSHN-BAdesto Technologies |
IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC |
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CY15V108QN-40LPXICypress Semiconductor |
IC FRAM 8MBIT SPI 40MHZ 8GQFN |
|
93AA46BT-I/OTRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ SOT23-6 |
|
S25FL064LABBHI033Cypress Semiconductor |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 24BGA |
|
93LC46CX-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT SPI 3MHZ 8SOIC |
|
7132LA35CBRenesas Electronics America |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL SB48 |
|
AT24CS16-XHM-TRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP |
|
TC58NYG2S0HBAI6Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA |
|
CY14B101LA-SP25XITCypress Semiconductor |
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP |
