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DS1230AB-200

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零件编号 :: DS1230AB-200

制造商: Rochester Electronics

描述: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

可用性: 13648 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 25 - Nov 29 2024

PDF格式: DS1230AB-200 PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tube
零件状态:	Obsolete
内存类型:	Non-Volatile
内存格式:	NVSRAM
技术:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
内存大小:	256Kb (32K x 8)
内存接口:	Parallel
时钟频率:	-
写周期时间 - 字，页:	200ns
访问时间:	200 ns
电压 - 电源:	4.75V ~ 5.25V
工作温度:	0°C ~ 70°C (TA)
安装类型:	Through Hole
包/箱:	28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
供应商设备包:	28-EDIP

DS1230AB-200 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 DS1230AB-200 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为DS1230AB-200 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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