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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | Automotive, AEC-Q100 |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FLASH |
| 技术: | FLASH - NOR |
| 内存大小: | 1Gb (128M x 8, 64M x 16) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 60ns |
| 访问时间: | 105 ns |
| 电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| 供应商设备包: | 56-TSOP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
S26KL256SDABHB023Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 24FBGA |
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AT45DQ161-SHF-BAdesto Technologies |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
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71V35761S166PFRochester Electronics |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
IS43DR16128C-3DBLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA |
|
71V2556S150PFG8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
CAT24C512LI-GRochester Electronics |
IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8DIP |
|
70T631S12BFRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA |
|
AT25DF256-SSHNGU-TAdesto Technologies |
IC FLASH 256KBIT SPI 8SOIC |
|
MR2A16AVMA35Everspin Technologies, Inc. |
IC RAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA |
|
AT45DB161E-SHFHA-TAdesto Technologies |
IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC |
|
R1LV3216RSD-7SI#S0Rochester Electronics |
IC SRAM 32MBIT PAR 52TSOP II |
|
CY62128-70SCTRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 128KX8 |
|
GD25Q40CEIGRGigaDevice |
IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON |
