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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | NVSRAM |
| 技术: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 内存大小: | 2Mb (256K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 85ns |
| 访问时间: | 85 ns |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 包/箱: | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| 供应商设备包: | 32-EDIP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
AS7C256A-15TINAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
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BR93G66FVM-3AGTTRROHM Semiconductor |
IC EEPROM 4KBIT SPI 3MHZ 8MSOP |
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70V3399S133BCRenesas Electronics America |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA |
|
BR24T256FVT-WE2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOPB |
|
CY62167G30-45ZXITFlip Electronics |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I |
|
IS49RL36160-107EBLISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA |
|
DS1245YP-70INDRochester Electronics |
IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP |
|
S29GL01GT12TFN010Cypress Semiconductor |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP |
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70V3599S166BFRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA |
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CY62147DV30L-55BVITRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 256KX16, 55NS |
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CY7C1041B-15VCRochester Electronics |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
|
S29GL128P11FAI020Cypress Semiconductor |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA |
|
CY7C1370S-200AXCRochester Electronics |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
