类型 | 描述 |
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系列: | SST38 |
包裹: | Tray |
零件状态: | Active |
内存类型: | Non-Volatile |
内存格式: | FLASH |
技术: | FLASH |
内存大小: | 64Mb (4M x 16) |
内存接口: | Parallel |
时钟频率: | - |
写周期时间 - 字,页: | 10µs |
访问时间: | 90 ns |
电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
供应商设备包: | 48-TSOP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
CY7C1009B-15VCRochester Electronics |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
|
DS1330ABP-100Rochester Electronics |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP |
|
M95M04-DRDW6TPSTMicroelectronics |
IC EEPROM 4MBIT SPI 10MHZ 8TSSOP |
|
W25Q16JWSNIQWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
|
CY7C1268KV18-400BZXCRochester Electronics |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
AT27C256R-45JURoving Networks / Microchip Technology |
IC EPROM 256KBIT PARALLEL 32PLCC |
|
GT28F320C3BA100SB93 |
IC FLASH 32MBIT PAR 48UBGA CSP |
|
AS4C32M16D1A-5TINAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II |
|
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D TRMicron Technology |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA |
|
GD25Q40CEJGRGigaDevice |
IC FLSH 4MBIT SPI/QUAD I/O 8USON |
|
IS43DR81280B-3DBL-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA |
|
CAT93C46JI-TE13Rochester Electronics |
IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 28SOIC |
|
W968D6DAGX7I TRWinbond Electronics Corporation |
IC PSRAM 256MBIT PAR 54VFBGA |