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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) |
| 内存大小: | 4.5Mb (256K x 18) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | 8 ns |
| 电压 - 电源: | 3.135V ~ 3.465V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 100-LQFP |
| 供应商设备包: | 100-TQFP (14x14) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
AS7C3256A-20JINTRAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
|
CY62137FV30LL-55ZSXERochester Electronics |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II |
|
BR24T16-WZROHM Semiconductor |
IC EEPROM 16KBIT I2C DIP8K |
|
24AA16T-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC |
|
AT28C256-25UM/883Roving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 256KBIT PAR 28CPGA |
|
S29GL128S90FHI023Cypress Semiconductor |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA |
|
IS45S16320F-7TLA2ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II |
|
CY62256NLL-55ZXETRochester Electronics |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
|
BR24L02F-WE2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOP |
|
AS6C1016-55ZINAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II |
|
70V3569S6BFRenesas Electronics America |
IC SRAM 576KBIT PAR 208CABGA |
|
25LC080B-I/PRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ 8DIP |
|
25LC010AT-I/STRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8TSSOP |
