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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | NoBL™ |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Synchronous, SDR |
| 内存大小: | 72Mb (2M x 36) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 167 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | 3.4 ns |
| 电压 - 电源: | 3.135V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 165-LBGA |
| 供应商设备包: | 165-FBGA (15x17) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
R1RW0416DSB-2PR#D0Rochester Electronics |
STANDARD SRAM, 256KX16, 12NS |
|
DS1245ABP-70Rochester Electronics |
IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP |
|
93C86C-I/MSRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8MSOP |
|
CY7C271-55PCRochester Electronics |
OTP ROM, 32KX8, 55NS PDIP28 |
|
BR24T64FJ-WE2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOPJ |
|
PC28F00AP30EFAFlip Electronics |
IC FLASH 1GBIT PAR 64EASYBGA |
|
71V3559S75PFGRochester Electronics |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
IS42S16160J-7TLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
|
M25P40-VMP6GBFlip Electronics |
IC FLASH 4MBIT SPI 75MHZ 8VDFPN |
|
24FC01T-E/OTRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 |
|
24LCS52/STRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP |
|
DS1225AD-70+Maxim Integrated |
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP |
|
24LC128-I/MSRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 128KBIT I2C 8MSOP |
