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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | NVSRAM |
| 技术: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 内存大小: | 256Kb (32K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 120ns |
| 访问时间: | 120 ns |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 包/箱: | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| 供应商设备包: | 28-EDIP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
IS42S32160F-7TLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II |
|
5962-8764813QYARochester Electronics |
UVPROM, 64KX8, 200NS, CMOS |
|
AS6C2016-55ZINAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II |
|
AT25SF081B-MAHD-TAdesto Technologies |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON |
|
S29GL128S11TFIV20Cypress Semiconductor |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP |
|
DS1230Y-100+Maxim Integrated |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP |
|
S29GL01GT11TFV010Cypress Semiconductor |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP |
|
CAV25160VE-GT3Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
IC EEPROM 16KBIT SPI 20MHZ 8SOIC |
|
24LC014-E/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC |
|
93AA76CT-I/MCRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT SPI 3MHZ 8DFN |
|
IS42S32200L-7TL-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II |
|
93C46BT-I/MNYRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8TDFN |
|
MX25L6433FMI-08GMacronix |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 16SOP |
