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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | SST26 SQI® |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FLASH |
| 技术: | FLASH |
| 内存大小: | 64Mb (8M x 8) |
| 内存接口: | SPI - Quad I/O |
| 时钟频率: | 104 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 1.5ms |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-SOIJ |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
24AA014T-I/OTRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT I2C SOT23-6 |
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CY14B108L-BA45XICypress Semiconductor |
IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 48FBGA |
|
S25FL256LDPBHN020Rochester Electronics |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA |
|
71256SA15PZGI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP |
|
70T631S15BF8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA |
|
MT40A256M16LY-062E AUT:FMicron Technology |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA |
|
CYD18S18V18-200BBAXCCypress Semiconductor |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA |
|
71V124SA10YGRochester Electronics |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
|
S29GL512S11DHI023Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA |
|
MX30UF2GE8AB-XKIMacronix |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA |
|
CY7C131E-25JXCFlip Electronics |
IC SRAM 8KBIT PARALLEL 52PLCC |
|
AS7C1025B-15JCNTRAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
|
MT58L256L36FS-10Rochester Electronics |
CACHE SRAM 256KX36 10NS PQFP100 |
