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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Synchronous, QDR II |
| 内存大小: | 36Mb (1M x 36) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 300 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 1.7V ~ 1.9V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 165-LBGA |
| 供应商设备包: | 165-FBGA (13x15) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
CY7C09199V-7ACRochester Electronics |
DUAL-PORT SRAM, 128KX9, 18NS |
|
GS81302DT38AGD-633IGSI Technology |
IC SRAM 144MBIT PAR 165FPBGA |
|
AS4C16M16SA-7TCNAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
|
93LC56BX/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 8SOIC |
|
MT46V64M8CV-5B IT:JAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA |
|
CAT28F001HI-12TRochester Electronics |
IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32TSOP |
|
CY7C1041G30-10ZSXICypress Semiconductor |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
|
8103610SARochester Electronics |
8103610 - OT PLD, 30NS |
|
BR24C01-RDS6TPROHM Semiconductor |
IC EEPROM 1KBIT I2C 8TSSOP |
|
11AA02UIDT-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT SGL WIRE 8SOIC |
|
AS7C31025B-12JINAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
|
70V7319S133BC8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
|
71024S15YGI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
