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W979H6KBVX2E TR

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IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA

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图片仅供参考，请联系我们获取真实图片

零件编号 :

W979H6KBVX2E TR

制造商
Winbond Electronics Corporation
描述
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
目录
记忆
可用性
212121 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 19 - Dec 23 2024
PDF格式
W979H6KBVX2E TR PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Active
内存类型:Volatile
内存格式:DRAM
技术:SDRAM - Mobile LPDDR2
内存大小:512Mb (32M x 16)
内存接口:Parallel
时钟频率:400 MHz
写周期时间 - 字，页:15ns
访问时间:-
电压 - 电源:1.14V ~ 1.95V
工作温度:-25°C ~ 85°C (TC)
安装类型:Surface Mount
包/箱:134-VFBGA
供应商设备包:134-VFBGA (10x11.5)
W979H6KBVX2E TR 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 W979H6KBVX2E TR 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为W979H6KBVX2E TR 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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