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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 512Kb (64K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | 150 ns |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 32-LCC (J-Lead) |
| 供应商设备包: | 32-PLCC (11.43x13.97) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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CY14B108N-ZSP45XITCypress Semiconductor |
IC NVSRAM 8MBIT PAR 54TSOP II |
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71V67703S80BGGRenesas Electronics America |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA |
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70V3379S4BF8Renesas Electronics America |
IC SRAM 576KBIT PAR 208CABGA |
|
MT58L256L36FS-10TRRochester Electronics |
SRAM SYNC QUAD 8M-BIT 256KX36 |
|
7009L20PFGRenesas Electronics America |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP |
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CY62147VLL-70ZITRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 256KX16, 70NS |
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71V65903S85PFGIRochester Electronics |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
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AS7C256A-10TINAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
|
71T75802S100PFGIRochester Electronics |
1M X 18, SYNCHRONOUS ZBT SRAM |
|
71256SA12TPRochester Electronics |
SRAM 256K (32K X 8-BIT) |
|
M95512-DRMN8TP/KSTMicroelectronics |
IC EEPROM 512KBIT SPI 16MHZ 8SO |
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FT24C02A-USG-BFremont Micro Devices |
IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8SOP |
|
S29AS008J70TFI043Cypress Semiconductor |
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP |
