类型 | 描述 |
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系列: | AL-J |
包裹: | Bulk |
零件状态: | Active |
内存类型: | Non-Volatile |
内存格式: | FLASH |
技术: | FLASH - NOR |
内存大小: | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
内存接口: | Parallel |
时钟频率: | - |
写周期时间 - 字,页: | 70ns |
访问时间: | 70 ns |
电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
工作温度: | -40°C ~ 125°C (TA) |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | 48-VFBGA |
供应商设备包: | 48-FBGA (8.15x6.15) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
S29GL512T12DHVV23Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA |
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5962-87788012ARochester Electronics |
OTP ROM, 256X4, 60NS |
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CY7C1020CV33-10ZXCRochester Electronics |
IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II |
|
CY14ME256J2-SXIRochester Electronics |
IC NVSRAM 256KBIT I2C 8SOIC |
|
S25FL128SDPBHBC00Cypress Semiconductor |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24BGA |
|
93LC86T-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8SOIC |
|
MX29LV800CBXEI-90GMacronix |
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48LFBGA |
|
CY14E256L-SZ45XIRochester Electronics |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC |
|
AS4C128M16D3LB-12BINAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA |
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AT45DB081E-SSHN-BAdesto Technologies |
IC FLASH 8MBIT SPI 85MHZ 8SOIC |
|
CY7S1061G30-10ZXICypress Semiconductor |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I |
|
7035L15PFGRenesas Electronics America |
IC SRAM 144K PARALLEL 100TQFP |
|
W74M64JVSSIQWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC |