类型 | 描述 |
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系列: | GL-N |
包裹: | Tray |
零件状态: | Active |
内存类型: | Non-Volatile |
内存格式: | FLASH |
技术: | FLASH - NOR |
内存大小: | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
内存接口: | Parallel |
时钟频率: | - |
写周期时间 - 字,页: | 110ns |
访问时间: | 110 ns |
电压 - 电源: | 3V ~ 3.6V |
工作温度: | -40°C ~ 105°C (TA) |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | 64-LBGA |
供应商设备包: | 64-FBGA (13x11) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
70V3379S4BC8Renesas Electronics America |
IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA |
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CY14B104LA-ZS20XIRochester Electronics |
IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II |
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MX25L4006EM1I-12GMacronix |
IC FLASH 4MBIT SPI 86MHZ 8SOP |
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IS42S32800J-6TL-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II |
|
CY7C25682KV18-400BZCRochester Electronics |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
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CY7C1357C-100BZCRochester Electronics |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
IS42S16320F-7BLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54TFBGA |
|
AM27C512-255DCRochester Electronics |
EPROM |
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CAT25080VP2I-GT3Rochester Electronics |
IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ 8TDFN |
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GS8342DT38BGD-500IGSI Technology |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FPBGA |
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CY14B104NA-BA45XECypress Semiconductor |
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA |
|
CAT93C57XI-T2Rochester Electronics |
IC EEPROM 2KBIT SPI 1MHZ 8SOIC |
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CY7C0830AV-133BBCRochester Electronics |
DUAL-PORT SRAM, 64KX18, 4NS |