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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Synchronous, SDR |
| 内存大小: | 18Mb (512K x 36) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 100 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | 8.5 ns |
| 电压 - 电源: | 3.135V ~ 3.6V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 165-LBGA |
| 供应商设备包: | 165-FBGA (13x15) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
CY15E016Q-SXATCypress Semiconductor |
IC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8SOIC |
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24LC08BT-E/MNYRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8TDFN |
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AS7C3256A-10TINAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
|
MT25QU128ABA8ESF-0SITMicron Technology |
IC FLASH 128MBIT SPI 133MHZ 16SO |
|
AT25DF011-SSHNGU-TAdesto Technologies |
IC FLASH 1MBIT SPI 104MHZ 8SOIC |
|
MX29LV400CBXEI-70GMacronix |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48LFBGA |
|
W9712G6KB25IWinbond Electronics Corporation |
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 84TFBGA |
|
GD5F1GQ4UEYIGYGigaDevice |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON |
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S29GL512S11DHA023Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA |
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SAC57D54HCVMO557Rochester Electronics |
ARM 32 BIT MCU, TRIPLE CORE, 4MB |
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CY62148G30-45ZSXIRochester Electronics |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II |
|
AT28C256-15UM/883-815Roving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 256KBIT PAR 28CPGA |
|
S29GL032N11DFIV22Cypress Semiconductor |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 64FBGA |
