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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | NVSRAM |
| 技术: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 内存大小: | 1Mb (128K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 45ns |
| 访问时间: | 45 ns |
| 电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| 供应商设备包: | 32-SOIC |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
DS1230Y-200+Maxim Integrated |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP |
|
W25Q20EWSNIGWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC |
|
GD25LQ05CTIGRGigaDevice |
IC FLASH 512KBIT SPI/QUAD 8SOP |
|
IS26KS256S-DPBLI00ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC FLASH 256MBIT PAR 24VFBGA |
|
M95256-DFCS6TP/KSTMicroelectronics |
IC EEPROM 256KBIT SPI 8WLCSP |
|
W25Q128JWEIQ TRWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
AT93C46DY6-YH-TRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT SPI 8MINI MAP |
|
S29GL01GS10DHA013Cypress Semiconductor |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA |
|
25AA080T-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT SPI 1MHZ 8SOIC |
|
70V7339S200BC8Renesas Electronics America |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA |
|
93LC66T/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 4KBIT SPI 2MHZ 8SOIC |
|
CY62128BNLL-55SXCRochester Electronics |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC |
|
MR25H10CDCEverspin Technologies, Inc. |
IC RAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DFN |
