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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tape & Reel (TR) |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | DRAM |
| 技术: | SDRAM - DDR2 |
| 内存大小: | 512Mb (32M x 16) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 400 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 15ns |
| 访问时间: | 400 ps |
| 电压 - 电源: | 1.7V ~ 1.9V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 84-TFBGA |
| 供应商设备包: | 84-TWBGA (8x12.5) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
CAT24AA16TDI-GT3Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
IC EEPROM 16KBIT I2C TSOT23-5 |
|
93LC86CT-I/STRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8TSSOP |
|
70V3319S133BFRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA |
|
M24C64-WMN6TPSTMicroelectronics |
IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SO |
|
IS45S32400F-6BLA2ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA |
|
AT24C04C-SSHM-BRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
|
MT25QU512ABB8ESF-0AAT TRMicron Technology |
IC FLASH 512MBIT SPI 133MHZ 16SO |
|
5962-8869002LARochester Electronics |
512 X 8 CMOS PROM |
|
71256L20YGRenesas Electronics America |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
|
AT45DB161E-SSHFHC-TAdesto Technologies |
IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC |
|
S25FL128LAGMFI000Cypress Semiconductor |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
|
CAT28C256GA-15Rochester Electronics |
IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC |
|
71V3559S85BQIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
