English
简体中文
图片仅供参考，请联系我们获取真实图片
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | e•MMC™ |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FLASH |
| 技术: | FLASH - NAND |
| 内存大小: | 256Gb (32G x 8) |
| 内存接口: | MMC |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 153-TFBGA |
| 供应商设备包: | 153-TFBGA (11.5x13) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
71T75602S133PFG8Renesas Electronics America |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
CY7C1314SV18-200BZCRochester Electronics |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
70T631S12BF8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA |
|
CAT24AA16WI-GT3Rochester Electronics |
IC EEPROM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
|
CY7C1413KV18-333BZIRochester Electronics |
QDR SRAM, 2MX18, 0.45NS PBGA165 |
|
STK17TA8-RF25Rochester Electronics |
PROGRAMMABLE TIMER PDSO48 |
|
AS6C62256-55SINTRAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP |
|
S29GL128S10TFI023Cypress Semiconductor |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP |
|
AS7C3256A-10JINAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
|
IS62WVS5128FALL-16NLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC SRAM 4MBIT SPI/QUAD I/O 8SOIC |
|
AT28C256-15UM/883Rochester Electronics |
IC EEPROM 256KBIT PAR 28CPGA |
|
CY7C1512AV18-250BZXCRochester Electronics |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
CY7C1020CV26-15ZSXERochester Electronics |
IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II |
