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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM |
| 内存大小: | 8Mb (1M x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 45ns |
| 访问时间: | 45 ns |
| 电压 - 电源: | 2.4V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| 供应商设备包: | 44-TSOP II |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
S26KS512SDABHM030Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 24FBGA |
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24FC16T-I/MUYRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT I2C 1MHZ 8UDFN |
|
AT45DB021E-MHN-YAdesto Technologies |
IC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8UDFN |
|
CAT25020SIRochester Electronics |
IC EEPROM 2KBIT SPI 10MHZ 8SOIC |
|
AS7C31026B-15JCNAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ |
|
MX25U12835FZNI-10GMacronix |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON |
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SFEM064GB1EA1TO-I-HG-121-STDSwissbit |
IC FLASH 512GBIT EMMC 153BGA |
|
BR24G16FVT-3AGE2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 16KBIT I2C 8TSSOPB |
|
CY62157DV30LL-70BVXIRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 512KX16, 70NS |
|
S29AL008J70BAI010Cypress Semiconductor |
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA |
|
70V38L20PFGI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 100TQFP |
|
24FC08T-I/OTRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8K I2C 1MHZ SOT23-5 |
|
AS4C2M32D1A-5BCNTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 144LFBGA |
