FIXED IND 6.8MH 150MA 15 OHM SMD
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
类型 | 描述 |
---|---|
系列: | - |
包裹: | Tape & Reel (TR) |
零件状态: | Active |
内存类型: | Volatile |
内存格式: | DRAM |
技术: | DRAM |
内存大小: | 576Mb (16M x 36) |
内存接口: | Parallel |
时钟频率: | 400 MHz |
写周期时间 - 字,页: | - |
访问时间: | 15 ns |
电压 - 电源: | 1.7V ~ 1.9V |
工作温度: | 0°C ~ 95°C (TC) |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | 144-TFBGA |
供应商设备包: | 144-FBGA (18.5x11) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
W25Q32JVZPIQWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON |
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MX25L6433FXCI-08GMacronix |
IC FLSH 64MBIT SPI/QUAD 24CSPBGA |
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70V3389S5BC8Renesas Electronics America |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA |
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S25FL116K0XMFA011Flip Electronics |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
|
AT25PE20-MHN-TAdesto Technologies |
IC FLASH 2MBIT SPI 85MHZ 8UDFN |
|
W74M25JVZEIQWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
CY14B108N-ZSP45XIRochester Electronics |
IC NVSRAM 8MBIT PAR 54TSOP II |
|
7130LA20JG8Renesas Electronics America |
IC SRAM 8KBIT PARALLEL 52PLCC |
|
M5M5V108DVP-70HISTRochester Electronics |
SRAM 3.3V 1M-BIT (128K X 8) |
|
AS4C32M16MSA-6BINTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA |
|
70V3569S6BCRenesas Electronics America |
IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA |
|
CY62147DV30L-55BVIRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 256KX16, 55NS |
|
93C46CT-E/MNYRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT SPI 3MHZ 8TDFN |