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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 1Mb (128K x 8) |
| 内存接口: | SPI |
| 时钟频率: | 10 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 1.8V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-SOIC |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
GS82582D18GE-375IGSI Technology |
IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA |
|
AT25SL128A-UUE-TAdesto Technologies |
IC FLASH 128MBIT SPI 21WLCSP |
|
24LC64T-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC |
|
CY7C1361A-117ACRochester Electronics |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
MT29F2G01ABAGD12-IT:G TRMicron Technology |
IC FLASH 2GBIT SPI 83MHZ 24TPBGA |
|
HM3-6551-5Rochester Electronics |
256 X 4 CMOS RAM |
|
AT25DF011-MAHNHR-TAdesto Technologies |
IC FLASH 1MBIT SPI 104MHZ 8UDFN |
|
MT58L64L18FT-7.5Rochester Electronics |
CACHE SRAM 64KX18 7.5NS PQFP100 |
|
71V3556S100PFGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
SST26VF016BT-80E/MFRoving Networks / Microchip Technology |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WDFN |
|
S25FS512SAGMFB013Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
|
IS42S16320D-6BLISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54TFBGA |
|
CY7C10612DV33-10ZSXIFlip Electronics |
IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II |
