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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 8Kb (1K x 8, 512 x 16) |
| 内存接口: | SPI |
| 时钟频率: | 3 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 2.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-SOIC |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
S29GL01GS11TFV010Cypress Semiconductor |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP |
|
CY62148BLL-70SCTRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 512KX8, 70NS |
|
MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B TRMicron Technology |
IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA |
|
W25Q128JVFIQWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
|
70V3599S166BFGRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208FPBGA |
|
FM25H20-DGTRRochester Electronics |
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8TDFN |
|
MT53E128M32D2DS-053 WT:A TRMicron Technology |
IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA |
|
70T631S10BF8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA |
|
AT24C01C-PUMRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8DIP |
|
W9825G6KH-6 TRWinbond Electronics Corporation |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
|
GS816218DGD-250IGSI Technology |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FPBGA |
|
24AA01T/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC |
|
CAT24C05WI-GRochester Electronics |
IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8SOIC |
