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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | * |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | - |
| 内存格式: | - |
| 技术: | - |
| 内存大小: | - |
| 内存接口: | - |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | - |
| 包/箱: | - |
| 供应商设备包: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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BR24G64FJ-3GTE2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOPJ |
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DS2460S+Maxim Integrated |
IC EEPROM 896B I2C 400KHZ 8SO |
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71V416S12BE8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA |
|
HM1-6504S-9Rochester Electronics |
4096 X 1 CMOS SRAM |
|
DS1345WP-150Rochester Electronics |
IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP |
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M48Z02-150PC1STMicroelectronics |
IC NVSRAM 16KBIT PAR 24PCDIP |
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AT25DL161-MHN-TAdesto Technologies |
IC FLASH 16MBIT SPI 100MHZ 8UDFN |
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S25FL256LAGNFI011Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON |
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CY7C025E-55AXCRochester Electronics |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP |
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IS46LR32160C-6BLA1-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA |
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AS4C32M16D1A-5TCNAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II |
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M95080-DRDW8TP/KSTMicroelectronics |
IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP |
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S25FL512SAGMFVR11Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
