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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Asynchronous |
| 内存大小: | 1Mb (128K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 25ns |
| 访问时间: | 25 ns |
| 电压 - 电源: | 3V ~ 3.6V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| 供应商设备包: | 32-SOJ |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
CY14B104N-BA20XCRochester Electronics |
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA |
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S25FL256SAGNFV001Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
UPD46365182BF1-E40-EQ1-ARochester Electronics |
QDR SRAM, 2MX18, 0.45NS |
|
UPD44164362BF5-E40X-EQ3-ARochester Electronics |
DDR SRAM, 512KX36, 0.45NS |
|
24AA02E48-E/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC |
|
CY7C144-15AXIRochester Electronics |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 64TQFP |
|
70V659S10BCRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
|
AS7C34098A-8TINTRAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2 |
|
CY7C024-15JCRochester Electronics |
DUAL-PORT SRAM, 4KX16, 15NS |
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CY14B256Q1A-SXIRochester Electronics |
NON-VOLATILE SRAM, 32KX8, CMOS, |
|
CAT93C66SI-TE13Rochester Electronics |
IC EEPROM 4KBIT SPI 2MHZ 8SOIC |
|
MT48LC16M16A2B4-6A IT:G TRMicron Technology |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54VFBGA |
|
SST39VF1601C-70-4I-B3KERoving Networks / Microchip Technology |
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TFBGA |
