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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 64Kb (8K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 10ms |
| 访问时间: | 200 ns |
| 电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TC) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 32-LCC (J-Lead) |
| 供应商设备包: | 32-PLCC (13.97x11.43) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
MX25U6473FM2I-10GMacronix |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP |
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71V3556SA133BGGRochester Electronics |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA |
|
MT57W512H36JF-5Rochester Electronics |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
71V2546S133PFGRochester Electronics |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
CY62157EV30LL-45ZXACypress Semiconductor |
NO WARRANTY |
|
RM24C32C-BSNC-BAdesto Technologies |
IC CBRAM 32KBIT I2C 750KHZ 8SOIC |
|
IS61NVF51236B-7.5TQLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100LQFP |
|
GS8662Q18BGD-333IGSI Technology |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FPBGA |
|
TC58NVG0S3HTA00Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I |
|
MX30LF2G28AD-XKIMacronix |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA |
|
GS81282Z36GB-250IGSI Technology |
IC SRAM 144MBIT PAR 119FPBGA |
|
70V3389S5BFRenesas Electronics America |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA |
|
93LC56A-E/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 8SOIC |
