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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Synchronous, QDR II |
| 内存大小: | 144Mb (4M x 36) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 300 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 1.7V ~ 1.9V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 165-LBGA |
| 供应商设备包: | 165-FBGA (15x17) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
PC28F128J3F75AAlliance Memory, Inc. |
IC FLASH 128MBIT PAR 64EASYBGA |
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S25FL256LDPBHN030Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA |
|
BR24C16-DW6TPROHM Semiconductor |
IC EEPROM 16KBIT I2C 8TSSOP |
|
AT28C64B-15SURoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28SOIC |
|
IS42S86400F-7TL-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II |
|
S25FS256SDSBHM203Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA |
|
MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A TRMicron Technology |
IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA |
|
CY7C1079DV33-12BAXICypress Semiconductor |
IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA |
|
S34ML16G202TFI200Rochester Electronics |
IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I |
|
AS4C32M16D2A-25BCNAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA |
|
PC28F512P30EFAFlip Electronics |
IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA |
|
IS43R16800E-5TL-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II |
|
71V3577S85BG8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA |
